Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 28A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 57A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V |
Power - Max | 200W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
Корпус | TO-247AC |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ACS750LCA-050 | ALLEGRO | |||||||
ACS750LCA-050 | 954.00 | |||||||
ACS750LCA-050 | Allegro Microsystems Inc | |||||||
B32653-2000В-0.01МКФJ | EPCOS | |||||||
B32654A474J | Пленочный конденсатор | EPCOS | ||||||
B32654A474J | Пленочный конденсатор | 304.00 | ||||||
B32654A474J | Пленочный конденсатор | EPCOS | 429 | |||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | INTERNATIONAL RECTIFIER | 7 | 440.82 | ||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | 1 024.64 | ||||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | США | ||||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА | ||||||
IRGPS40B120UDP | Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 80А 40кГц | INFINEON | ||||||
UPG2179TB-E4-A | NEC | |||||||
UPG2179TB-E4-A | 53.00 | |||||||
UPG2179TB-E4-A | RENESAS | |||||||
UPG2179TB-E4-A | CEL | |||||||
UPG2179TB-E4-A | RENESAS | |||||||
UPG2179TB-E4-A | NEC ELECTRONICS |
|