IRFP4710
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 45A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 72A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6160pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFP4710 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Т308А | 56 | 14.40 | ||||||
| 1Т308А | НАЛЬЧИК | 80 | 10.00 | |||||
| 1Т308А | МИНСК |
|
|
|||||
| 1Т308А | РИГА |
|
|
|||||
 |
2Т306Г |
|
126.72 | |||||
| 3И306Ж | 1 632 | 43.35 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 903 | 16.00 |
