IRFPC50
Транзистор полевой N-MOS 600V, 11A, 180W
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Power - Max | 180W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFPC50 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=600v, Rds (on) =0.60ohm, Id=11a)
Производитель:
|
