IRFR2407
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=75V, Id=42A@T=25C, Id=29A@T=100C)
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR2407 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ECA25В-2200МКФ16X28 | HITANO |
|
|
|||||
| ECR25В-2200МКФ13X26 | HITANO |
|
|
|||||
 |
 |
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | 4 | 378.00 | ||
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | ST1 |
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | ST MICROELECTRO |
|
|
|
|
|
|
TDA7265 |
|
УHЧ 2x25W (2x20V/8 Ом), Gv=30dB, max 2x32W | 1 |
|
|
|
 |
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W |
|
229.48 |
