IRFR320PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR320PBF (SILICONIX.)	44	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRFR320PBF

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR320PBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFR320PBF datasheet
1.8 Мб