IRFR420A
Hexfet® power mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 340pF @ 25V |
| Power - Max | 83W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFR420A (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ATMEGA8U2-AU |
|
Atmel |
|
|
||
|
|
|
ATMEGA8U2-AU |
|
|
|
|||
|
|
|
ATMEGA8U2-AU |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
 |
|
C3216X7R1H474K |
|
TDK Corporation |
|
|
||
|
|
|
C3216X7R1H474K |
|
ЯПОНИЯ |
|
|
||
|
|
|
C3216X7R1H474K |
|
TDK |
|
|
||
 |
|
PVT412A |
|
Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах , однополюсное, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
PVT412A |
|
Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах , однополюсное, ... | 4 | 380.00 | ||
|
|
|
PVT412A |
|
Фотоэлектрическое твердотельное реле на полевых МОП транзисторах , однополюсное, ... | INFINEON |
|
|
|
| SH006M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 6.3 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH006M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 6.3 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH006M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 6.3 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| ШР28ПК7НШ9 ВИЛКА Б С/К |
|
|
