IRFS3207Z
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 75A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6920pF @ 50V |
| Power - Max | 300W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFB3207ZPbF (Управление питанием) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRFS3207ZPbF
Производитель:
|
