![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 29A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
Power - Max | 110W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRFZ44ES (Дискретные сигналы) 60V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRFZ44ES
Производитель:
|
![]() | ПК3-1 СЕР. Переключатель кнопочный ручного управления ПК4-1 предназначен для коммутации электрических цепей постоянного и переменного токов. Одиночная к... 153.60 руб Купить |
![]() | MAC97A6 Симистор с чувствительным логическим уровнем для сопряжения микроконтроллеров, ИС и др. низковольтных устройств Купить |
![]() | STGW20NC60V Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 30 а Купить |
|
Корзина
|