IRFZ44ES
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 29A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 48A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1360pF @ 25V |
| Power - Max | 110W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFZ44ES (Дискретные сигналы) 60V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRFZ44ES
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
 | ПК16-11С2003 Предназначен для установки на монтажную панель (внутри шкафа) 'Напряжение, В постоянного тока 1-30 переменного тока 1-250 Ток, А постоянный... 1585.28 руб Купить |
 | 2SD400 Биполярный транзистор NPN lo-sat, 25V, 1A, 0.9W, 180MHz 18.32 руб Купить |
 | KPT-2012PBC-A Светодиод для поверхностного монтажа 2.0х1.25мм Размер корпуса 2.0х1.25х0.75мм. Малое потребление. Широкий угол обзора. Идеален для подсветки и ин... Купить |
