IRL3102

Версия для печати

Технические характеристики IRL3102

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 37A, 7V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	61A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	58nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2500pF @ 15V
Power - Max	89W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRL3102 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRL3102 datasheet
134.7 Кб