|
FET Feature | Standard |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 14A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 47nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 50V |
Power - Max | 33W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
Корпус | TO-220AB Full-Pak |
IRLIB9343 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLIB4343 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 19A, 39W (Logic-Level) | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRLIB4343 | Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 19A, 39W (Logic-Level) | |||||||
SR1100 (1A 100V) | ||||||||
SR510 (5A 100V) | ||||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | 32.00 | ||||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК | 2 209 | 32.00 | ||||
КП508А | Кремниевые полевые P-канальные транзисторы средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|