IRLR7833

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLR7833	1	352.80

Версия для печати

Технические характеристики IRLR7833

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	140A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	50nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4010pF @ 15V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLR7833 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLR7833 datasheet
319.4 Кб