IRLZ24N
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.06 R@Vgs=10V, P=45W, -55 to +175C), логическое управление.
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLZ24N (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.125-3.0K 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.125-3.0K 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
1.32 >500 шт. 0.44 |
||||
 |
 |
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 1 936 | 18.00 | ||
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК |
|
|
|
 |
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 36 | 535.50 | ||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | УЛЬЯНОВСК |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | ФРЯЗИНО |
|
|
|
| МИКРОДРЕЛЬ ДПМ-25-Н1-04 |
|
|
||||||
| РП10-22 П-О ВИЛКА | 16 | 80.00 |
