|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
|
49
|
57.60
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4011BE |
|
Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс
|
HGSEMI
|
37
|
17.11
|
|
|
|
CF-0.25-1.6K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
CF-0.25-1.6K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
|
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
CF-0.25-10K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
CF-0.25-10K 5% |
|
Резистор углеродистый
|
|
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
MF-R010 |
|
Vmax=60V, Imax=40A, Ih=0.10A, It=0.38A, Rmin=2.5 Om, Rmax=4.5 Om, R1max=7.5 Om
|
|
|
34.40
|
|
|
|
MF-R010 |
|
Vmax=60V, Imax=40A, Ih=0.10A, It=0.38A, Rmin=2.5 Om, Rmax=4.5 Om, R1max=7.5 Om
|
BOURNS
|
12 000
|
16.73
|
|
|
|
MF-R010 |
|
Vmax=60V, Imax=40A, Ih=0.10A, It=0.38A, Rmin=2.5 Om, Rmax=4.5 Om, R1max=7.5 Om
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
MF-R010 |
|
Vmax=60V, Imax=40A, Ih=0.10A, It=0.38A, Rmin=2.5 Om, Rmax=4.5 Om, R1max=7.5 Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MF-R010 |
|
Vmax=60V, Imax=40A, Ih=0.10A, It=0.38A, Rmin=2.5 Om, Rmax=4.5 Om, R1max=7.5 Om
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
MF-R010 |
|
Vmax=60V, Imax=40A, Ih=0.10A, It=0.38A, Rmin=2.5 Om, Rmax=4.5 Om, R1max=7.5 Om
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
1 068
|
12.62
|
|