IXFH80N085

Версия для печати

Технические характеристики IXFH80N085

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HiPerFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	85V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4800pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247AD
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXFH80N085 (N-канальные транзисторные модули)

HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode

Производитель:
IXYS Corporation
//www.ixys.com

IXFH80N085 datasheet
56.69Kb
2стр.