Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	466	2.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	8.69
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	4 169	3.44
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		17 652	1.26  >100 шт.   0.63
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR	8	7.18
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	2.34
		BPW21R		Фотодиод 560нм МАЛОШУМ.100'	VISHAY	1 156	1 012.84
		BPW21R		Фотодиод 560нм МАЛОШУМ.100'			999.20
		BPW21R		Фотодиод 560нм МАЛОШУМ.100'	Vishay/Semiconductors
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...			131.32
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	RENESAS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	NEC ELECTRONICS	10
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	CEL
		UPC8211TK-E2-A		Малошумящий усилитель, Fт=1575МГц, Кш=1,3дБ, Кус.мощн=18,5дБ, Рвых=+2дБм, Uпит=3В, ...	ЯПОНИЯ
		С2-29 0.125 0.1% 511			РЕСУРС

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"