Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Резисторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)			КИТАЙ
		1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)			GALAXY
		1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)			GALAXY ME
		MF-0.125-100 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-0.125-100 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			2.80
		MF-0.125-2.00K 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт	CHINA
		MF-0.125-2.00K 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт		53	2.80
		КР140УД1208				805	66.50
		КР140УД1208			КИЕВ
		КР140УД1208			КВАЗАР
		КР140УД1208			МИКРОН
		КР140УД1208			МИКРО-М	2 364	137.76
		КР140УД1208			КВАДР
		КР140УД1208			КОНТИНЕНТ
		КР140УД1208			УКРАИНА
		КР140УД1208			МИКРО М
		КР140УД1208			RUS
		КР140УД1208			МИКРОМ
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 060	31.68
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	30.60
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 736	32.00
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ816Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"