LF356M/NOPB

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
LF356M/NOPB (NATIONAL SEMICONDUCTOR.)	27	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики LF356M/NOPB

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
Ток выходной	5mA
Напряжение входного смещения	3000µV
Ток - входного смещения	30pA
Полоса пропускания	5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	12 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	J-FET
Серия	BI-FET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.