LT1122DS8
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 18 V |
| Ток выходной | 7.8mA |
| Напряжение входного смещения | 130µV |
| Ток - входного смещения | 12pA |
| Полоса пропускания | 13MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 75 V/µs |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
