M25P10-AVMN6P
IC SRL FLASH 16MBIT(2M x 8) LV 50MHz SP,Memory Size 1M (128K x 8) VCC = 2.3 V ~ 3.6 V,-40°C ~ 85°C.
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение питания | 2.3 V ~ 3.6 V |
| Интерфейс подключения | SPI, 3-Wire Serial |
| Скорость | 50MHz |
| Объем памяти | 1M (128K x 8) |
| Тип памяти | FLASH |
| Формат памяти | FLASH |
| Серия | FortГ©™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
M25P10-A 1 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 50MHz SPI Bus Interface Также в этом файле: M25P10-AVMN6P
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EP4CE6E22C8N |
|
Altera |
|
|
|||
|
|
EP4CE6E22C8N |
|
ALT |
|
|
|||
|
|
EP4CE6E22C8N |
|
ALTERA | 463 |
|
|||
|
|
EP4CE6E22C8N |
|
|
|
||||
| LD1117AS12TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LD1117AS12TR | ST MICROELECTRONICS SEMI | 69 |
|
|||||
| LD1117AS12TR |
|
109.60 | ||||||
| LD1117AS12TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| RC0603JR-0722RL | YAGEO | 585 265 |
0.90 >1000 шт. 0.18 |
|||||
| RC0603JR-0722RL | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603JR-0722RL |
|
|
||||||
| SK025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | YAGEO |
|
|
|||
| SK025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SK025M1000B5S-1019 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
 |
|
YC164-JR-0747RL |
|
Yageo | 29 584 |
1.16 >100 шт. 0.58 |
||
|
|
|
YC164-JR-0747RL |
|
|
|
