|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
|
2.76
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC559C |
|
Транзистор биполярный малой мощности
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
EM-6050 |
|
Микрофон электретный, 20..20000 Гц, 4.5…12 В, 6.0x5.0 мм, сигнал/шум > 60 дБ, ...
|
YINZHOU
|
|
|
|
|
|
EM-6050 |
|
Микрофон электретный, 20..20000 Гц, 4.5…12 В, 6.0x5.0 мм, сигнал/шум > 60 дБ, ...
|
|
|
16.00
|
|
|
|
EM-6050 |
|
Микрофон электретный, 20..20000 Гц, 4.5…12 В, 6.0x5.0 мм, сигнал/шум > 60 дБ, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
EM-6050 (P) |
|
|
YINZHOU
|
|
|
|
|
|
EM-6050 (P) |
|
|
|
|
18.76
|
|
|
|
EM-6050 (P) |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
|
|
711.92
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJ11015G |
|
TO3
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|