Версия для печати
Технические характеристики MAX4420CPA+

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	Low-Side
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	35ns
Ток пиковое значение	6A
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Напряжение питания	4.5 V ~ 18 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-PDIP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	NXP
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	PHILIPS	8	214.20
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A		11	129.60
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	INCHANG
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	UNKNOWN
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	МАЛАЙЗИЯ
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	ISCSEMI
		BUT11AF		Транзистор биполярный большой мощности S-N 1000В 5A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	193.80
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	360.00
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		8 000	14.64
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A		1	146.40
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SEMTECH
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MCC
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс		246	9.60
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	DC COMPONENTS	8 983	4.06
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MASTER INSTRUMENT CO
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	MIC	12 437	2.29
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	КИТАЙ	532	12.24
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YJ
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	KINGTRONICS
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	GALAXY ME
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	LGE	19 200	2.95
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	WUXI XUYANG	15 785	6.04
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	YANGJIE (YJ)
		SF18		Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 0,035мкс	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"