|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
|
|
20.96
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
JSCJ
|
1 504
|
102.44
|
|
|
|
G0 347F |
|
|
GAINTA
|
|
|
|
|
|
HEF4050BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4050BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
|
33
|
49.14
|
|
|
|
HEF4050BT |
|
Стандартная логика HEX BUFFER/CONVERTERS NON-INVERTING TYPE -40/+85
|
|
33
|
49.14
|
|
|
|
PMBD7000 |
|
Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
PMBD7000 |
|
Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
PMBD7000 |
|
Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)
|
|
|
12.00
|
|
|
|
PMBD7000 |
|
Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)
|
NXP
|
20 096
|
|
|
|
|
PMBD7000 |
|
Пара диодов, послед. соединение (Vr=100V, If=125mA, Vf=1.1V@100mA, Vr=500nA@100V, t=4ns)
|
PHILIPS
|
86
|
|
|
|
|
К73-17 630В 0.01МКФ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
К73-17 630В 0.01МКФ 5% |
|
|
КУЗНЕЦК
|
|
|
|
|
|
К73-17 630В 0.01МКФ 5% |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|