|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-20.0K 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
1 460
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
2512-1.8 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
32
|
2.80
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
|
1
|
39.60
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
КИТАЙ
|
4 641
|
169.87
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
1
|
|
|
|
|
|
ILD213T |
|
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ILD213T |
|
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...
|
|
|
152.00
|
|
|
|
ILD213T |
|
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...
|
VISHAY
|
16
|
30.00
|
|
|
|
ILD213T |
|
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
ILD213T |
|
Оптопара (Фототранзистор) 2 канал Iпр макс=60 mA Uизол=4kV Uвых=70V tвкл/выкл=4/5 мкс ...
|
VISHAY
|
764
|
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
|
|
240.00
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
BOURNS
|
236
|
|
|