| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
6 212
|
5.98
|
|
 |
 |
IRF7703 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7703 |
|
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
|
|
|
|
|
|
|
MF4-FКОМПЛЕКТ |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
952
|
27.12
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 580
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 422
|
12.00
|
|
|
|
|
СМ-1КМ КРАСНЫЙ |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
