MF6-FКОМПЛЕКТ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HSMS-2802		AVAGO
HSMS-2802				81.64
HSMS-2802		КИТАЙ
IRF5305 P-КАН. -55V.- 31A. 0.055 ОМ. 110W. TO220		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF5305 P-КАН. -55V.- 31A. 0.055 ОМ. 110W. TO220
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	43.35
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
MC14066BD	(G) (SMD) SO14		5	39.60
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ONS
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	1
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MICRO CHIP	1 336	118.08
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz		288	119.81
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	Microchip Technology
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MCHIP
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	ТАИЛАНД
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		1 096	28.00
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	30.60
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	1 450	30.00
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН