|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
6 202
|
5.77
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
|
|
8.80
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
NXP
|
3 200
|
5.87
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
HOTTECH
|
1 591
|
8.64
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
JSCJ
|
1 308
|
8.90
|
|
|
|
BCP54 |
|
NPN 45v1.5A 125MHz h=40-250
|
SHIKUES
|
4 844
|
6.01
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
26
|
51.00
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
|
5
|
39.60
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC14066BD |
|
(G) (SMD) SO14
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
153
|
36.00
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 504
|
12.00
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
|
904
|
27.12
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
35.70
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
БРЯНСК
|
2 580
|
32.00
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 60В, 3А, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
4 422
|
12.00
|
|