MJD3055T4G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MJD3055T4G (ON SEMICONDUCTOR.)	20	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MJD3055T4G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	8V @ 3.3A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)	50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 4A, 4V
Power - Max	1.75W
Frequency - Transition	2MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	DPAK-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.