| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
|
29 668
|
3.70
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
FAIRCHILD
|
5 711
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
GALAXY ME
|
5 308
|
1.60
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
LRC
|
8
|
1.03
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
HOTTECH
|
63 800
|
2.03
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
DIOTEC
|
314 711
|
1.73
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
YJ
|
62 811
|
1.60
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BZX84C6V8 |
|
Стабилитрон универсальный 0.35Вт 6,8В
|
SUNTAN
|
41 123
|
1.76
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
58.59
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
|
22
|
77.70
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7303 |
|
Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=4.9@T=25C, 3.9A@T=70C)
|
TECH PUB
|
1 576
|
16.65
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4 004
|
31.00
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
|
8 288
|
33.30
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
108
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXAS
|
8 091
|
15.54
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
XINBOLE
|
9 614
|
16.80
|
|
|
|
|
LM311DR |
|
Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
524
|
|
|
|
|
|
LM335M |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM335M |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
|
|
63.40
|
|
|
|
|
LM335M |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM335M |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 457
|
|
|
|
|
|
LM335M |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM335M |
|
Прецизионный датчик температуры (Стабилитрон с Uпроб. проп-но +10mV/K, Ir=400uA5mA, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
668
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
|
|
560.00
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM5576MH |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
515
|
|
|
Версия для печати
