2SD1651(C)

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD1651(C)		86.88

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB1565	Si-P, 80V, 3A, 25W, 15MHz	ROHM
2SB1565	Si-P, 80V, 3A, 25W, 15MHz		1	393.12
2SB1565	Si-P, 80V, 3A, 25W, 15MHz	ROHM SEMICONDUCTOR
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS	PHILIPS	152	252.00
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS	NXP
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS			124.76
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS	WS
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS	МАЛАЙЗИЯ
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS	КИТАЙ
BU2508DF	Транзистор биполярный большой мощности NPN+D hi-res, 1500V, 8A, 45W, Tf<600nS	ISCSEMI
BZW50-33B		STMicroelectronics
BZW50-33B		ST MICROELECTRONICS	254	262.74
BZW50-33B				379.20
L4949EP013TR		ST MICROELECTRONICS
L4949EP013TR				358.80
L4949EP013TR		ST MICROELECTRONICS SEMI	666
L4949EP013TR		STMicroelectronics
TDA8947J/N2	УНЧ 4x14W (22V/4 Ом), Gv=26dB, 2x29W BTL (22V/8 Ом), Gv=32dB	NXP