|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
|
4
|
62.40
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3807 |
|
Биполярный транзистор NPN lo-sat, 30V, 2A, 15W, 260MHz, B>800
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W
|
SANYO
|
26
|
183.60
|
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W
|
|
|
49.12
|
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD1881 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 10A, 70W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
США
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
TSL
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
|
|
282.56
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HZS3C3TD |
|
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HZS3C3TD |
|
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LA42052 |
|
PA 2x5W (18V/8 Ом), Gv=35dB
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
LA42052 |
|
PA 2x5W (18V/8 Ом), Gv=35dB
|
|
4
|
201.60
|
|
|
|
LA42052 |
|
PA 2x5W (18V/8 Ом), Gv=35dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
LA42052 |
|
PA 2x5W (18V/8 Ом), Gv=35dB
|
1
|
|
|
|