| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.60
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
21 115
|
2.22
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.45
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 016
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
439 148
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
869 876
|
1.10
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 660
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
110 016
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.09
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
|
93 848
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TELEFUNKEN
|
286
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
VISHAY
|
993
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
TWN
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
|
LL4148-GS08 |
|
Диод, SOD80
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS
|
814
|
7.32
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
4 600
|
6.65
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DT |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M24128-BWMN6TP |
|
EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M24128-BWMN6TP |
|
EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8
|
|
|
|
|
|
|
|
M24128-BWMN6TP |
|
EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M24128-BWMN6TP |
|
EEPROM ser 1,8..5,5V 128x8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
48.45
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
|
|
33.68
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
16
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE556N |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
Версия для печати
