BSS119

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS119		6.32

Версия для печати

Технические характеристики BSS119

Корпус	PG-SOT23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	360mW
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	78pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 50µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS119

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BSS119 datasheet
136.9Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ES1A		FAIR
ES1A		FAIRCHILD
ES1A		FAIRCHILD
ES1A		Fairchild Semiconductor
ES1A
ES1A		YJ	12 048	1.23
ES1A		ONS
ES1A		YANGJIE
ES1A		YANGJIE (YJ)
GF1G		FAIR
GF1G		GENERAL SEMICONDUCTOR
GF1G		FAIRCHILD
GF1G			1
GF1G		FAIRCHILD	8
GF1G		GENERAL SEMICONDUCTOR	27
GF1G		Fairchild Semiconductor
GF1G		ONS
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER	70
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W		40
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INFINEON
IRFI1010N	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFI1010N	Транзистор полевой			122.88
IRFI1010N	Транзистор полевой	INFINEON
IRFI1010N	Транзистор полевой	IR/VISHAY	4	51.66
NDC7003P		FAIR
NDC7003P				88.00
NDC7003P		FAIRCHILD
NDC7003P		FAIRCHILD	9
NDC7003P		Fairchild Semiconductor
NDC7003P		ONS