BSS119

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSS119		6.32

Версия для печати

Технические характеристики BSS119

Корпус	PG-SOT23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Power - Max	360mW
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	78pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	2.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 50µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	170mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS119

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode)

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BSS119 datasheet
136.9Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ES1A		FAIR
ES1A		FAIRCHILD
ES1A		FAIRCHILD
ES1A		Fairchild Semiconductor
ES1A
ES1A		YJ	18 583	1.50 >100 шт. 0.75
ES1A		ONS
ES1A		YANGJIE
ES1A		YANGJIE (YJ)
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INTERNATIONAL RECTIFIER	70
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W		40
IRF7319PBF	Полевой транзистор N+P-канальный 30V, 6,5/4, 9A, 2,0W	INFINEON
IRFI1010N	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFI1010N	Транзистор полевой			122.88
IRFI1010N	Транзистор полевой	INFINEON
IRFI1010N	Транзистор полевой	IR/VISHAY	4	49.20
IRLL024ZTR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLL024ZTR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLL024ZTR		INFINEON
NDC7003P		FAIR
NDC7003P				88.00
NDC7003P		FAIRCHILD
NDC7003P		FAIRCHILD	9
NDC7003P		Fairchild Semiconductor
NDC7003P		ONS