NP0 75PF 5% 50V

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LA1140	FM тpакт pадиопpиемника, Vcc=7.5-16V	SANYO	3	42.17
LA1140	FM тpакт pадиопpиемника, Vcc=7.5-16V	SAN
LA1140	FM тpакт pадиопpиемника, Vcc=7.5-16V			72.40
RD15HVF1	Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
RD15HVF1	Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)			644.00
RD15HVF1	Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)	MIT
RD15HVF1	Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V)	ТАИЛАНД
SQP 10W 10 5%
SQP 10W 10 5%		YAGEO
К73-9-0.047МКФ 100В (10%)
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 160	28.97
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	532	25.20