Power - Max | 910mW |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11.1A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 18A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GRM43R5C2D222JY21L | Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В | MUR | ||||||
GRM43R5C2D222JY21L | Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В | |||||||
GRM43R5C2D222JY21L | Керамический конденсатор 2200 пФ 200 В |
|