GA500TD60U
Тиристор IGBT модуль
|
Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
GA500TD60U |
|
26 365.36
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики GA500TD60U
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Конфигурация | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 500A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 46.8nF @ 30V |
Power - Max | 1550W |
Вход | Standard |
NTC Thermistor | Нет |
Тип монтажа | Шасси |
Корпус (размер) | Dual INT-A-PAK (3 + 8) |
Корпус | Dual INT-A-PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
GA500TD60U (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))
Half-bridge IGBT Dual Int-a-pak
Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com
|