IRF1010E


Транзистор полевой N-канальный MOSFET 60В, 84A, 12мОм@50A, 200Вт

Купить IRF1010E по цене 178.50 руб.  (без НДС 20%)
IRF1010E Транзистор полевой N-канальный MOSFET...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF1010E (INTERNATIONAL RECTIFIER) 4 178.50 
IRF1010E 4 187.20 

Транзистор полевой N-канальный MOSFET
Напряжение  сток / исток   60В
Ток стока   84A
Сопроивление статичесткое ключ / сток 12мОм@50A
Мощность рассеиваемая   200Вт
Температура перехода  до  175оС
 Время вкл /выкл. 12нс / 53нс
Версия для печати

Технические характеристики IRF1010E

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
КорпусTO-262
Корпус (размер)TO-262-3 (Straight Leads)
Тип монтажаВыводной
Power - Max200W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds3210pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C84A
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12 mOhm @ 50A, 10V
FET FeatureStandard
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF1010ES (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=60V, Rds (on) =12mohm, Id=84AРЃРЅ)

Также в этом файле: IRF1010EL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF1010E datasheet
124.88Kb
10стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  42CTQ030 Диод Шоттки 30В/40А/0.51В   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  42CTQ030 Диод Шоттки 30В/40А/0.51В   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
  42CTQ030 Диод Шоттки 30В/40А/0.51В     Заказ радиодеталей 135.48 
  42CTQ030 Диод Шоттки 30В/40А/0.51В   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  42CTQ030 Диод Шоттки 30В/40А/0.51В   Vishay/Semiconductors Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz     Заказ радиодеталей 377.52 
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PF50W Транзистор IGBT модуль единичный 900V, 28A, 200W (WARP 60-150kHz   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   INTERNATIONAL RECTIFIER 40 692.73 
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный     Заказ радиодеталей 660.00 
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRG4PH50UD Транзистор IGBT модуль единичный   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт     Заказ радиодеталей 61.20 
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   FAIRCHILD 26 168.30 
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   ONS 1 94.46 
RFP50N06 Транзистор полевой N канальный, 60В, 50A, 131Вт   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ315Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...     1 527 18.00 
КТ315Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход