![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Корпус | TO-262 |
Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
Тип монтажа | Выводной |
Power - Max | 2.4W |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 100A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 60A, 10V |
IRF1104S (Дискретные сигналы) HEXFETand#174; Power MOSFET Также в этом файле: IRF1104S
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0402-100 5% |
![]() |
ЧИП — резистор SMD,1 x 0.5 x 0.3 мм, 62 мВт,±5%,1 кОм, -55-155°C | FAITHFUL LINK |
![]() |
![]() |
|||
0402-100 5% |
![]() |
ЧИП — резистор SMD,1 x 0.5 x 0.3 мм, 62 мВт,±5%,1 кОм, -55-155°C | 555 | 2.80 | ||||
![]() |
![]() |
IRF7822 |
![]() |
Транзистор полевой SMD | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
IRF7822 |
![]() |
Транзистор полевой SMD |
![]() |
75.96 | ||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
![]() |
36.08 | ||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М | ПОЛЬША |
![]() |
![]() |
|||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
![]() |
![]() |
|||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М |
![]() |
![]() |
||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ПОЛЬША |
![]() |
![]() |
|||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
![]() |
![]() |
|||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЗЕЛ. 0.5М |
![]() |
44.60 | ||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЗЕЛ. 0.5М | ПОЛЬША |
![]() |
![]() |
|||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЗЕЛ. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|