|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
11DQ03 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
11DQ03 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.
|
|
228
|
8.80
|
|
|
|
11DQ03 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
11DQ03 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.
|
EIC
|
|
|
|
|
|
11DQ03 |
|
Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
DC COMPONENTS
|
30 585
|
1.77
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
|
16 360
|
1.07
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
6 433
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YANGJIE
|
48 000
|
1.28
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JSCJ
|
36 501
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YJ
|
19 452
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
|
48
|
378.40
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
ВОСХОД
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
ПАВЛОВ ПАСАД
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
ПАВЛОВ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
ФОРМ МОСКВА
|
|
|
|
|
|
564ЛП2 |
|
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 006
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7343PBF |
|
Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...
|
|
4
|
|
|
|
|
OP184FS |
|
Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP184FS |
|
Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP184FS |
|
Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C
|
|
|
311.56
|
|
|
|
OP184FS |
|
Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP184FS |
|
Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|