Версия для печати
Технические характеристики IRF7350

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	N and P-Channel
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 2.1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.1A, 1.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	380pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7350 (Дискретные сигналы) Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7350 datasheet 238.65Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	VISHAY
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.		228	8.80
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	Vishay/Semiconductors
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	EIC
		11DQ03		Диод Шоттки (U=30V, I=1.1A, Vf=0.5V@I=1A, -55 to +125C), выводной.	1
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	DC COMPONENTS	30 769	2.65
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA		16 360	1.18
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIR
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIRCHILD
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	GALAXY
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FAIRCHILD	6 433
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	Fairchild Semiconductor
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	КИТАЙ
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	GALAXY ME
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	FSC
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	ONS-FAIR
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	JANGJIE
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	YANGJIE	48 000	1.42
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	HOTTECH
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	ONS
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	JSCJ	1 746	1.84  >100 шт.   0.92
		1N4448WS		Si-Diode 75V 150mA	YJ	24 412	1.08
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		9 079	33.25
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	162	91.00
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 006
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...	INFINEON
		IRF7343PBF		Сдвоенные N и P-канальные полевые транзисторы Vси=-55/55 В, Rоткр = 0.056/0.043 Ом, ...		4
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	TEXAS INSTRUMENTS
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C			311.56
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	ANALOG DEVICES
		OP184FS		Прецизионный усилитель прецизионный, 4МГц, Uш.=3.9нВ/Гц, -40°C - +125°C	Analog Devices Inc

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"