![]() |
|
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | N and P-Channel |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A, 2.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
Power - Max | 2W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SO |
IRF9952 (N/P-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GX16 16M-4B |
![]() |
![]() |
||||||
GX16 16M-4B |
![]() |
![]() |
||||||
GX16 16M-4B | КИТАЙ | 15 | 70.62 | |||||
![]() |
![]() |
MMBD352LT1 |
![]() |
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | MOTOROLA |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MMBD352LT1 |
![]() |
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MMBD352LT1 |
![]() |
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | MOTOROLA | 1 303 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
MMBD352LT1 |
![]() |
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR | 2 420 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
UC3843AD8G4 |
![]() |
Texas Instruments |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
UC3843AD8G4 |
![]() |
TEXAS |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
UC3843AD8G4 |
![]() |
![]() |
![]() |
|||
![]() |
![]() |
UC3843AD8G4 |
![]() |
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C | 88 |
![]() |
||
VS-80CPQ150 | VISHAY |
![]() |
![]() |
|||||
VS-80CPQ150 |
![]() |
![]() |
||||||
YA-0701-HM 10А 250VAC | SANG MAO |
![]() |
![]() |
|||||
YA-0701-HM 10А 250VAC |
![]() |
576.00 |
|
Корзина
|