IRF9952
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A, 2.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 190pF @ 15V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF9952 (N/P-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GX16 16M-4B |
|
|
||||||
| GX16 16M-4B |
|
|
||||||
| GX16 16M-4B | КИТАЙ | 15 | 70.62 | |||||
 |
 |
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | MOTOROLA |
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | MOTOROLA | 1 303 |
|
|
|
|
|
MMBD352LT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR | 2 420 |
|
|
 |
|
UC3843AD8G4 |
|
Texas Instruments |
|
|
||
|
|
|
UC3843AD8G4 |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
UC3843AD8G4 |
|
|
|
|||
|
|
|
UC3843AD8G4 |
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C | 88 |
|
||
| VS-80CPQ150 | VISHAY |
|
|
|||||
| VS-80CPQ150 |
|
|
||||||
| YA-0701-HM 10А 250VAC | SANG MAO |
|
|
|||||
| YA-0701-HM 10А 250VAC |
|
576.00 |
