IRFB4229

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB4229		335.52

Версия для печати

Технические характеристики IRFB4229

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	46A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4560pF @ 25V
Power - Max	330W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
30BQ100TRPBF	Диод Шоттки 100В, 3А, SMC	VISHAY
30BQ100TRPBF	Диод Шоттки 100В, 3А, SMC	INTERNATIONAL RECTIFIER
30BQ100TRPBF	Диод Шоттки 100В, 3А, SMC	INTERNATIONAL RECTIFIER	48
30BQ100TRPBF	Диод Шоттки 100В, 3А, SMC	VISHAY
30BQ100TRPBF	Диод Шоттки 100В, 3А, SMC	Vishay/Semiconductors
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА	NXP
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА			114.84
BT139-600	Тиристор 16A 600В Igt=35мА	КИТАЙ
L7915ACV	ИМС	ST MICROELECTRONICS	367	59.02
L7915ACV	ИМС			55.36
L7915ACV	ИМС	ST MICROELECTRONICS SEMI
L7915ACV	ИМС	STMicroelectronics
L7915ACV	ИМС	КИТАЙ
L7915ACV	ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	149
RUE110				15.68
RUE110		TE Connectivity
RUE110				15.68
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	29	25.41
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz			48.00
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ONS	792	44.72
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	197
UC3845BD1R2G	ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	120