IRGS14C40L


IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK

Купить IRGS14C40L по цене 168.00 руб.  (без НДС 20%)
IRGS14C40L Тип управляющего канала: N-Channel...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRGS14C40L цена радиодетали 168.00 

Тип управляющего канала: N-Channel
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.55V
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Версия для печати

Технические характеристики IRGS14C40L

Current - Collector (Ic) (Max)20A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.75V @ 5V, 14A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)430V
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Power - Max125W
Тип входаLogic
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRGB14C40L (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором))

IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps

Также в этом файле: IRGS14C40L, IRGS14C40LTRR, IRGS14C40LTRL

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRGS14C40L datasheet
157.06Kb
11стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRGS14C40LTRLP IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRGS14C40LTRLP IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А     Заказ радиодеталей 480.00 
IRGS14C40LTRLP IGBT транзистор 430В, 125Вт, 20А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ISL9V3040S3S     FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ISL9V3040S3S       Заказ радиодеталей 420.80 
    ISL9V3040S3S     FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ISL9V3040S3S     Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS 266 45.65 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА     32 14.76 
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRONICS SEMI 5 цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE555N Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА   HGSEMI 1 589 12.84 
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый     4 340.00 
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   WINBOND 592 351.29 
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   WIN Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   Winbond Electronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс   NO NAME Заказ радиодеталей цена радиодетали
W27C512-45Z Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс     Заказ радиодеталей 141.80 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход