|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2335R |
|
|
|
|
88.00
|
|
|
|
2SC2335R |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 255
|
1.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
21 115
|
2.29
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
324
|
1.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 016
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
426 908
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
870 740
|
1.13
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 660
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
111 136
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.12
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BCW32 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 32V 0,1A 0,25W B:200-450
|
|
|
5.56
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
DC COMPONENTS
|
700 739
|
2.28
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
|
22
|
9.60
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
TWN
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YJ
|
398 913
|
1.50
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KINGTRONICS
|
24
|
1.37
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
HOTTECH
|
128 686
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KLS
|
53
|
1.34
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MIC
|
17
|
1.49
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGJIE
|
20 000
|
1.50
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
SUNTAN
|
1 922
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
WUXI XUYANG
|
1 710
|
12.25
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
PANJIT
|
11 960
|
1.81
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MICRO COMMERCIA
|
7 760
|
5.90
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
MDD
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
1
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
GS1M |
|
Выпрямительный диод Шоттки smd (Vr=1000V, I=1A@T=100C, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -55 to ...
|
KEENSIDE
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.62
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
2 320
|
7.87
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|