![]() |
|
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 300mA |
Transistor Type | NPN |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Power - Max | 250mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
PMBT5551 (Высоковольтные биполярные транзисторы) Npn High-voltage Transistor
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
2SC2712 |
![]() |
Биполярный транзистор | TOSHIBA |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SC2712 |
![]() |
Биполярный транзистор | 18 400 |
1.40 >100 шт. 0.70 |
||
![]() |
![]() |
2SC2712 |
![]() |
Биполярный транзистор | TOS |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SC2712 |
![]() |
Биполярный транзистор | КИТАЙ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
2SC2712 |
![]() |
Биполярный транзистор | HOTTECH | 12 704 |
1.90 >100 шт. 0.95 |
|
![]() |
IRGB10B60KD | INTERNATIONAL RECTIFIER | 634 | 84.00 | ||||
![]() |
IRGB10B60KD | INTERNATIONAL RECTIFIER |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
IRGB10B60KD |
![]() |
![]() |
|||||
КТ368А-9 |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|