|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SA1492 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SA1492 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SA1492 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz
|
|
555
|
85.81
|
|
|
|
2SA1492 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SA1492 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC3039 |
|
Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2SC3039 |
|
Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SC3039 |
|
Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)
|
|
21
|
201.60
|
|
|
|
2SC3039 |
|
Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC3039 |
|
Биполярный транзистор NPN (500V, 7A, 50W, 20MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
|
|
339.44
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRL2505 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRL2505 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт
|
|
|
145.04
|
|
|
|
IRL2505 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRL2505 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRL2505 |
|
Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт
|
JSMICRO
|
664
|
54.22
|
|
|
|
SKM100GAL123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SMK
|
|
|
|
|
|
SKM100GAL123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
SKM100GAL123D |
|
Транзисторный модуль IGBT
|
|
|
14 245.00
|
|