SPW20N60C2

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SPW20N60C2		720.76

Версия для печати

Технические характеристики SPW20N60C2

Корпус	PG-TO247-3
Корпус (размер)	TO-247-3
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	208W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	103nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Request inventory verification / Request inventory verification

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SPW20N60C2 (Мощные полевые МОП транзисторы)

Cool Mos Power Transistor

Производитель:
Infineon Technologies AG
//www.infineon.com

SPW20N60C2 datasheet
124.9Kb
11стр.