|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
|
|
12.48
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SC945P |
|
Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...
|
HGF
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
|
|
429.16
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA32-16PU |
|
8 - бит AVR RISC микроконтроллер (32K ISP Flash, 1K EEPROM, 2K SRAM, Vcc=4.5 ... 5.5V, ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
|
|
51.64
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLU024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, ...
|
EVVO
|
2 400
|
17.74
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
38.25
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 064
|
33.15
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
3
|
20.66
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
651
|
4.07
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором
|
SK
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
SMR40200C |
|
SMPS с полевым высоковольтным транзистором
|
|
|
444.00
|
|