Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.8V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Voltage - Off State | 200V |
SCR Type | Standard Recovery |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - On State (It (AV)) (Max) | 35A |
Current - On State (It (RMS)) (Max) | 55A |
Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 40mA |
Current - Hold (Ih) (Max) | 60mA |
Current - Off State (Max) | 10µA |
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 550A, 650A |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | TO-263 (D2Pak) |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
46 872
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
18 844
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
1 648
|
2.10
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
16 276
|
3.24
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
656
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
23 580
|
2.03
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
11 301
|
2.32
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
190 863
|
1.31
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
916
|
1.46
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
2 080
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PANJIT
|
13
|
1.05
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
94 811
|
2.07
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
137 796
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC856B |
|
Транзистор PNP 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XSEMI
|
60 480
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
ECAP 330/25V 0811 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 25 В
|
|
|
8.00
|
|
|
|
ECAP 330/35V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 330/35V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 330/35V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 330/35V 1013 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ, 35 В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
14
|
166.32
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
TOS
|
|
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
S2000AF |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP3NB90FP |
|
TO220
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP3NB90FP |
|
TO220
|
|
|
333.20
|
|
|
|
STP3NB90FP |
|
TO220
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|