|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
DC COMPONENTS
|
30 769
|
2.60
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
|
16 360
|
1.18
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FAIRCHILD
|
6 433
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YANGJIE
|
48 000
|
1.49
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
JSCJ
|
4 387
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
1N4448WS |
|
Si-Diode 75V 150mA
|
YJ
|
24 412
|
1.13
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
489.60
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
|
1
|
544.80
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
1
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
И-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
|
2
|
2.55
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛА7 |
|
4 логических элемента «2И-НЕ». +3 - +15 Вольт, логика КМОП
|
СПЛАВ
|
|
|
|
|
|
К73-17-400-0.47 10% |
|
Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%
|
|
|
13.04
|
|
|
|
К73-17-400-0.47 10% |
|
Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
К73-17-400-0.47 10% |
|
Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
К73-17-400-0.47 10% |
|
Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
К73-17-400-0.47 10% |
|
Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
К73-17-400-0.47 10% |
|
Металлизированный пленочный конденсатор 0.47мкФ, 400 В, 10%
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
|
351
|
77.00
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
266
|
91.80
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
БРЯНСК
|
2 938
|
92.00
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ805АМ |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиальной структуры NPN переключательный для применения в ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|