Версия для печати
Технические характеристики SN74LS145N

Корпус	16-PDIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение питания	4.75 V ~ 5.25 V
Напряжение питания источника	Single Supply
Ток выходной макс., мин.	40µA, 1.6mA
Независимые Каналы	1
Каналы	1 x 4:10
Тип	Decoder
Серия	74LS
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

SN54LS145 (Дешифраторы/Демультиплексоры) Bcd-to-decimal Decoders / drivers Также в этом файле: SN74LS145N3, SN74LS145NSR Производитель: Texas Instruments //www.ti.com SN74LS145N datasheet 186.81Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Переключатели сигнала, мультиплексоры, декодеры

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		К555ИД10		дешифратор на 10 выходов с открытым коллектором 10нс, 238.16-1(DIP16)		17	54.00
		К555ИД10		дешифратор на 10 выходов с открытым коллектором 10нс, 238.16-1(DIP16)	АЗОН
		К555ИД10		дешифратор на 10 выходов с открытым коллектором 10нс, 238.16-1(DIP16)	МИКРОН
		К555ИД10		дешифратор на 10 выходов с открытым коллектором 10нс, 238.16-1(DIP16)	RUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		GRM319R71H103KA01D		Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MUR	6 020	1.52
		GRM319R71H103KA01D		Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM319R71H103KA01D		Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MURATA
		GRM319R71H103KA01D		Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В
		GRM319R71H103KA01D		Керамический конденсатор 0.01 мкФ 50 В	MURATA
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA	6
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	Vishay/Siliconix
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY/IR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SILICONIX
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SAMSUNG
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W		4	109.20
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTRUMENTS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	PHILIPS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	SGS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	MOTOROLA
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	SIGNETICS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ST MICROELECTRONICS	400	38.25
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	UTC
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	FAIRCHILD
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	FAIRCHILD	4
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	MOTOROLA	10
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ON SEMICONDUCTOR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	PHILIPS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	SGS THOMSON
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	STMICROELECTRONICS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTRUMENTS	22
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ST MICROELECTR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	КИТАЙ
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ST MICROELECTRO
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	STMICROELECTR
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс		4	19.00
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	ON SEMICONDUCTOR	4	38.25
		LM339N		Компаpатоp счетвеpенный +/-18В, 300нс	HGSEMI	2 333	13.70
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ		1 552	28.16
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ЗПП
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ИНТЕГРАЛ	800	66.30
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	МИНСК
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	ЗПП МИНСК
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	RUS
		КР1533ТМ2		Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ	НАЛЬЧИК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2	35.20
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	8 072	34.00
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"