STGB14NC60KDT4
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerMESH™ |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 7A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25A |
| Power - Max | 80W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JF0925S1H-001C066R | JAMICON |
|
|
|||||
| JF0925S2H-001C066R | JAMICON |
|
|
|||||
 |
 |
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | ONS | 8 | 28.40 | |
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | 1 | 196.56 | ||
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
| SQP10AJB-47R | YAGEO | 3 141 | 21.04 | |||||
| SQP10AJB-47R |
|
|
||||||
 |
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А | ST MICROELECTRONICS | 99 | 128.14 | |
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А | ST1 |
|
|
|
|
|
|
STP10NK70ZFP |
|
N-канальный MOSFET транзистор , 700В, 35Вт, 8.6А |
|
|
